INDUSTRY CONNECTIONS
含 Ge PD 的矽光子 PIC
Ge-on-Si・光子晶圓製程
Ge 吸收區與矽波導整合，讓光偵測功能成為 PIC 的一部分。採購端常買的是含 PD 的光子晶片或代工製程，而非另外採購一顆 Ge PD。
在接收器供應鏈中的角色
Tower 的 PH18MA 公開包含高速 Ge PD；ST 的 PIC100 白皮書明列 GePD；GlobalFoundries 的 300 mm 平台論文亦披露 Ge PD。imec 提供選擇性 Ge 成長與光電整合研究，屬研發平台角色。這些證據不代表各平台規格、成熟度或客戶量產狀態相同。
為何矽光子常採用 Ge PD
Ge 能吸收通訊波段光，並可整合在矽波導旁或上方，與調變器、分波器等形成多通道 PIC。優勢主要是平台整合與擴展通道數，而非所有 Ge 元件在暗電流、響應度或頻寬上都優於 InGaAs。Ge 成長的缺陷控制、熱預算與完整晶片良率仍是製程課題。
上下游與關聯環節
以下依地圖的供應、分類、技術或服務關係整理；關係方向保留原有標示，不代表個別公司之間已存在交易。
矽光子 SOI 晶圓 → 含 Ge PD 的矽光子 PIC
矽波導與 Ge 吸收區
從 SOI 基礎晶圓進入含 Ge 吸收區的光子製程，並非使用整片鍺基板。
imec｜Ge 成長、PIC 與電子晶片整合矽光子 → 含 Ge PD 的矽光子 PIC
矽光子偵測器實作
Ge-on-Si 是矽光子常見接收元件實作，但不是所有矽光子平台或型號的自動判定。
Tower｜含 Ge PD 的 PH18MA 製程設計套件含 Ge PD 的矽光子 PIC → 光接收器光電整合
含 PD 的 PIC
PD 功能已在 PIC 內，後續仍需接收電子、光纖介面與封裝。
imec｜Ge 成長、PIC 與電子晶片整合光接收器量測與測試 → 含 Ge PD 的矽光子 PIC
光子晶圓測試
晶圓階段量測光子元件以支援已知良品選擇。
Keysight｜NX5402A 矽光子晶圓測試代表公司與產品角色
依公開產品、製程或服務列示代表角色；研發平台與技術展示另行標明。材料判定僅適用於所引產品，不推定同品牌所有型號或客戶採購關係。
格羅方德 GlobalFoundries
含 Ge PD 的光子製程
CLEO 2026 論文披露 300 mm 平台 Ge PD；論文元件指標不等於所有代工產品的保證規格。
公司產品與角色來源Tower Semiconductor
含 Ge PD 的 SiPho 代工平台
PH18MA 製程設計套件明列高速 Ge 光偵測器；證據屬平台元件，非全部客戶模組用料。
公司產品與角色來源STMicroelectronics
PIC100 GePD 光子平台
PIC100 白皮書明列 GePD；以公開平台資料確認吸收材料，不推定個別客戶訂單。
公司產品與角色來源imec
Ge-on-Si 製程與整合研發
公開選擇性 Ge 成長及 PIC/EIC 整合研究；屬研發平台，不是完整商用光模組品牌。
公司產品與角色來源